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ディスクリート半導体トランジスタの高周波 RF MOSFET パワー SD2932

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—— ウィリアム ・ チャン ・ マレーシアから

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ディスクリート半導体トランジスタの高周波 RF MOSFET パワー SD2932

大画像 : ディスクリート半導体トランジスタの高周波 RF MOSFET パワー SD2932

商品の詳細:

証明:RoHs

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詳細製品概要

記述:

RF MOSFET 力 N CH 125 のボルト 40A

 

指定:

ねずみを捕る猫の部品: 511-SD2932
製造業者の部品: SD2932
製造業者: STMicroelectronics
工場パックの量: 15
土台様式: SMD/SMT
前方相互コンダクタンスの gFS (最高/分): 5 S
トランジスター極性: N チャネル
ゲート源の絶縁破壊電圧: +/- 20 ボルト
連続的な下水管の流れ: 40 A
包装:
電力損失: 500 W
製品タイプ: RF MOSFET 力
最低の実用温度: - 65 C
パッケージ/場合: M244-4
構成: 二重共通のソース
最高使用可能温度: + 150 C
下水管源の絶縁破壊電圧: 125 ボルト

ICC Technology Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Ms. ZHAO

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